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產(chǎn)品中心實(shí)驗(yàn)室搭建PECVD 射頻模塊上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長(zhǎng)溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。
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PECVD簡(jiǎn)介
上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。
上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單，與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長(zhǎng)溫度更低，管輝光均勻等效，薄膜均勻沉積。
上海實(shí)驗(yàn)室PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積
KT-PE150S 性能參數(shù)
型號(hào) | KT-PE150S | KT-PE500Z |
信號(hào)頻率 | 13.56MHz±0.005% | |
功率輸出范圍 | 0-150W | 0-500W |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W | |
最大反射功率 | 40W | |
射頻輸出接口 | 7/16,female 50 Ω | |
功率穩(wěn)定度 | ≤5W | |
匹配方式 | 手動(dòng)調(diào)節(jié)匹配 | 500W自動(dòng)匹配 |
耦合方式 | 電感式耦合 | |
輝光壓力 | ≤30Pa | |
供電電壓 | 50/60Hz 220v±10% | |
整機(jī)效率 | ≥70% | |
冷卻方式 | 強(qiáng)制風(fēng)冷 | |
支持爐管直徑 | φ25-φ80 | φ25-φ150 |
感應(yīng)區(qū) | 210mm | |
整機(jī)重量 | 48KG | |
整機(jī)尺寸:H x W x D(mm) | 600 x 600x 1100 | |
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